石墨烯憑借其優(yōu)異的電學(xué)表現(xiàn)成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望替代硅基器件的前景材料，近年來(lái)在科學(xué)界引起了研究熱潮。如何將金屬性的石墨烯轉(zhuǎn)變?yōu)檎嬲饬x具有帶隙的半導(dǎo)體，是石墨烯走向半導(dǎo)體市場(chǎng)的關(guān)鍵難題。
研究中，科學(xué)家發(fā)現(xiàn)自然界存在著一種白石墨，即氮化硼B(yǎng)N。它有許多和石墨類(lèi)似的性質(zhì)，與石墨烯截然不同，六方氮化硼HBN是優(yōu)良的絕緣體，研究人員發(fā)現(xiàn)，將大尺寸六方氮化硼HBN二維材料作為石墨烯的襯底可大幅提高石墨烯的電子遷移率，通過(guò)精確操控晶層堆疊方向的方式，極大地改變GBN異質(zhì)結(jié)中的電子運(yùn)轉(zhuǎn)方式，使這種材料真正具備了投入應(yīng)用的實(shí)際價(jià)值。
巨納集團(tuán)聯(lián)合荷蘭HQGraphene公司生產(chǎn)的氮化硼晶體，純度高達(dá)99.995%，目前還在研發(fā)純度更高、尺寸更大的氮化硼晶體，目前在市場(chǎng)中也取得了積極的響應(yīng)，清華大學(xué)、南京大學(xué)等高校都已和巨納集團(tuán)展開(kāi)合作，部分結(jié)果發(fā)布在了Nature上。
據(jù)樂(lè)觀估計(jì)，在經(jīng)過(guò)進(jìn)一步的設(shè)計(jì)改進(jìn)后，該材料將會(huì)應(yīng)用于高頻電子設(shè)備的制造?；蛟S，推動(dòng)這種多層復(fù)合材料系統(tǒng)在電子材料領(lǐng)域大展身手的時(shí)機(jī)即將成熟，電子材料領(lǐng)域迎來(lái)更新?lián)Q代的時(shí)刻可能已經(jīng)不再遙遠(yuǎn)了。