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因產(chǎn)品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準(zhǔn)。
上海伯東美國 KRi 大口徑射頻離子源 RFICP 380, 3層?xùn)艠O設(shè)計, 柵極口徑 38cm, 提供離子動能 100-1200eV 寬束離子束, 最大離子束流 > 1000mA, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應(yīng)用.
KRI 射頻離子源 RFICP 380 特性：
1. 放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術(shù)提供高密度離子, 工藝時間更長. 2kW & 1.8 MHz, 射頻自動匹配
2. 離子源結(jié)構(gòu)模塊化設(shè)計
3. 離子光學(xué), 自對準(zhǔn)技術(shù), 準(zhǔn)直光束設(shè)計, 自動調(diào)節(jié)技術(shù)保障柵極的使用壽命和可重復(fù)的工藝運行
4. 全自動控制器
5. 離子束動能 100-1200eV
6. 柵極口徑 38cm, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應(yīng)用
射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)規(guī)格：
陽極 | 電感耦合等離子體 |
最大陽極功率 | >1kW |
最大離子束流 | > 1000mA |
電壓范圍 | 100-1500V |
離子束動能 | 100-1200eV |
氣體 | Ar, O2, N2,其他 |
流量 | 5-50sccm |
壓力 | < 0.5mTorr |
離子光學(xué), 自對準(zhǔn) | OptiBeamTM |
離子束柵極 | 38cm Φ |
柵極材質(zhì) | 鉬或石墨 |
離子束流形狀 | 平行,聚焦,散射 |
中和器 | LFN 2000 |
高度 | 38.1 cm |
直徑 | 58.2 cm |
鎖緊安裝法蘭 | 12”CF |
上海伯東美國考夫曼 KRI 大口徑射頻離子源 RFICP 220, RFICP 380 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸磁存儲器刻蝕機, 8英寸量產(chǎn)型金屬刻蝕機中, 實現(xiàn) 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蝕工藝, 適用于 IC, 微電子,光電子, MEMS 等領(lǐng)域.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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